新華財(cái)經(jīng)北京2月28日電 國家發(fā)展改革委價格監(jiān)測中心28日發(fā)文稱，2025年9月至今，受需求“爆發(fā)式”增長、產(chǎn)能“斷崖式”緊缺等因素影響，全球存儲器市場缺口擴(kuò)大，存儲芯片價格持續(xù)上漲，近1個月多以來，漲幅呈現(xiàn)擴(kuò)大態(tài)勢，建議關(guān)注存儲芯片對下游價格的影響。

近期存儲芯片價格大幅快速上漲

調(diào)研反映，截至今年1月，存儲芯片兩大主要產(chǎn)品DRAM和NAND閃存價格均創(chuàng)2016年有數(shù)據(jù)以來最高。以主流型號為例，1月DARM（DDR4 8Gb 1G*8）合約平均價格為11.5美元，比上月上漲約24%，比2025年9月上漲約83%；NAND閃存（128Gb 16G*8 MLC）合約平均價格為9.5美元，比上月上漲約65%，比2025年9月上漲近1.5倍。

從上漲原因來看，存儲芯片價格上漲主要受到需求“爆發(fā)式”增長、產(chǎn)能“斷崖式”緊缺以及下游“恐慌性”囤貨等因素影響。一是AI算力增長帶動高端存儲需求增加。集邦咨詢預(yù)計(jì)，2026年全球AI服務(wù)器出貨量同比增長超28%，加上單臺AI服務(wù)器的內(nèi)存需求達(dá)到傳統(tǒng)服務(wù)器的8倍左右，AI服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心對高帶寬、大容量存儲芯片的需求將呈“爆發(fā)式”增長。同時，2025年四季度以來，智能手機(jī)等電子產(chǎn)品新款集中上市，對消費(fèi)級存儲需求有所支撐。二是存儲巨頭生產(chǎn)策略疊加產(chǎn)能周期的剛性約束，加劇市場供應(yīng)緊張。三星、SK海力士、美光三大廠商壟斷了全球90%以上的DRAM產(chǎn)能，頭部廠商采取“減產(chǎn)保價”“棄低追高”策略，將80%以上先進(jìn)產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高毛利率的高帶寬內(nèi)存，減少成熟制程的產(chǎn)能比重，導(dǎo)致消費(fèi)級存儲芯片供應(yīng)緊缺。同時，存儲芯片擴(kuò)產(chǎn)周期長，晶圓廠建設(shè)需1.5~2年，新增產(chǎn)能短期內(nèi)難以釋放。三是硅片、六氟化鎢、金屬等原材料價格上漲從成本端提供一定支撐。2025年，12英寸硅片、六氟化鎢、銀、銅等芯片制造原材料價格不同幅度上漲。此外，隨著市場看漲情緒升溫，消費(fèi)電子、AI服務(wù)器廠商、智能汽車等下游領(lǐng)域的恐慌囤貨也對近期價格走高起到推波助瀾作用。

存儲芯片價格上漲將向下游傳導(dǎo)

當(dāng)前，存儲芯片正處于上漲周期。年內(nèi)來看，在AI服務(wù)器算力需求持續(xù)增長的帶動下，全球存儲芯片市場供不應(yīng)求局面仍將持續(xù)，存儲芯片價格將延續(xù)上漲態(tài)勢。存儲芯片價格上漲正逐步傳導(dǎo)至消費(fèi)電子終端產(chǎn)品。隨著AI應(yīng)用滲透率提升，消費(fèi)者對高端化、智能化的消費(fèi)電子產(chǎn)品的偏好增強(qiáng)，消費(fèi)升級趨勢明顯，對內(nèi)存性能的要求更高。廠商通過減配的方式緩解成本上漲壓力的空間有限，上調(diào)終端價格將成為普遍趨勢。目前聯(lián)想、戴爾、惠普等主要電腦廠商均已發(fā)布調(diào)價函，漲幅普遍在500~1500元之間，小米、vivo等國產(chǎn)新發(fā)售機(jī)型相同存儲配置版本價格較上一代上漲300~500元。

受存儲芯片價格上漲及對下游的傳導(dǎo)影響，PPI方面，計(jì)算機(jī)、通信及其他電子設(shè)備制造業(yè)分項(xiàng)價格有望止跌企穩(wěn)，對PPI的拖累作用有所減弱。CPI方面，疊加提振消費(fèi)政策效果持續(xù)顯現(xiàn)，通訊工具分項(xiàng)價格將繼續(xù)回升。

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編輯：羅浩

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